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半導體製程誰領先？其實單就晶片製造技術的角度來看彰化年菜餐廳推薦大台中小額借貸，英特爾的確仍是市場龍頭，不論是高介電金屬閘極（HKMG）或是3D電晶體架構，仍是領先全球最先採用的廠商，之後台積電及三星才跟進。雖然台積電今年已量產10奈米製程，但至今仍不敢講出技術上已超越英特爾這句話。



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若由摩爾定律的定義，也就是積體電路中的電晶體數量，每隔18～24個月就會增加一倍的情況來看，英特爾的製程節點的確是按摩爾定律發展。就最先進的10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）技術而言，每平方公釐內含電晶體數超過1億個，電晶體閘極間距（gate pitch）達54奈米，最小金屬間距（min metal pitch）僅36奈米，都已創下半導體業界新紀錄。

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以台積電或三星的10奈米FinFET製程來看，不僅晶片集積度不如英特爾，閘極間距約70奈米左右，最小金屬間距約在40奈米左右，也與英特爾10奈米技術有所差距。也因此，英特爾才會在昨日的技術及製程大會中，強調自己仍是全球技術最先進的半導體廠。不過，英特爾的主力產品是處理器，處理器本來就是要追求最高的晶片集積度，才能不斷的提升運算時脈速度。但對晶圓代工廠台積電等業者來說，許多客戶的晶片並不是要追求最高的集積度。如手機晶片來說，運算時脈很快其實不代表什麼，更低的運算功耗、更多的功能整合，反而才是重點。對台積電來說，該公司的10奈米製程本來就跟英特爾的10奈米製程不一樣，微縮的速度、製程節點的界定等，各有各的優缺點。簡單來說，英特爾在最小閘極間距及最小金屬閘距上，以及晶片集積度上，的確勝過台積電，但在功耗的表現上，台積電的每一世代製程微縮，都可讓功耗明顯降低，英特爾的製程表現似乎就沒那麼明確。總體來看，英特爾及台積電在半導體技術上是各擅勝場，且兩家業者是處於既競爭又合作的關係之中，但在先進製程上、兩家業者卻有個共通點，那就是「摩爾定律仍然有效」。(工商時報) var _c = new Date().getTime(); document.write('');







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